Des physiciens du monde entier réunis à Versailles

La 13^ème conférence internationale du BIAMS (Beam injection assessment of microstructures in semiconductors) résonne un peu comme un retour au source. « La première édition a eu lieu en Ile de France en 1988 à Meudon, c’est là que se trouvait à l’époque le GEMAC », explique Julien Barjon, enseignant chercheur au département de physique de l’UVSQ et membre du laboratoire qui organise cette année la manifestation. Depuis, elle a tourné dans le monde entier au rythme d’une rencontre tous les 2 ans et c’est aujourd’hui à Versailles sur le campus des sciences que les physiciens se retrouvent.




La conférence porte sur les matériaux clefs de l’industrie du photovoltaïque et de l’électronique, que sont les semi-conducteurs. « L’acronyme BIAMS peut se traduire en français par techniques d’analyse par faisceaux d’électrons des microstructures de matériaux semi-conducteurs », précise Julien Barjon. Les électrons ont cette particularité de pouvoir être concentrés en faisceaux d’un nanomètre de diamètre seulement. Ils permettent alors d’observer le comportement des matériaux à toute petite échelle, dans des conditions proches de celles des composants électroniques. Leur utilisation connaît un fort regain d’intérêt ces dernières années avec l’avènement des nanosciences.
Au programme de ces quatre journées: échanges d’idées, débats, présentation des dernières avancées dans le domaine de la caractérisation des matériaux semi-conducteurs. Cette 13ème conférence est sponsorisée par les industriels du secteur (Horiba Jobin Yvon, AttoLight, Matelec…) et bénéficie du soutien de la Région Ile de France, du Labex NanoSaclay et du Centre National de la Recherche Scientifique.